Japonya geri kaldığı alanda açığı kapattı

Japon çip üreticisi Rapidus, teknoloji dünyasında ses getirecek bir adım atmaya hazırlanıyor. Japonya merkezli haberlerde Rapidus'un, ABD'li çip tasarımcısı Broadcom’a 2 nanometre çip örneklerini Haziran ayı itibarıyla sunmayı planladığı bildirildi.

Şu anda yalnızca Tayvanlı TSMC ve Güney Koreli Samsung'un 2 nanometre çip üretim kapasitesine sahip olduğu bilinirken, her iki firma da henüz seri üretime başlamış değil. Rapidus'un bu atılımı, ABD'li IBM ile yaptığı iş birliği sayesinde mümkün hale geliyor.

Geçtiğimiz Kasım ayında Rapidus, Hollandalı ASML'den Japonya’nın ilk EUV (Aşırı Ultraviyole Litografi) makinelerini teslim almıştı. Bu ileri teknoloji makineler, en yeni çiplerin üretiminde kritik bir rol oynuyor.

Rapidus, 2 nanometre örnek üretimine Nisan ayında başlayarak Broadcom’a Haziran’da ilk teslimatını yapmayı hedefliyor. Broadcom, geçtiğimiz Aralık ayında AI çip planlarını açıklayarak yatırımcıları şaşırtmış ve hisselerinde yüzde 38’lik bir artış yaşamıştı.

Broadcom CEO’su Hock Tan, 2027 yılına kadar bir milyon AI çipi üretmeyi ve bu alandan 60 ila 90 milyar dolar arasında gelir elde etmeyi planladıklarını belirtmişti. Hatta firma yapay zeka için dünyanın ilk 3.5D F2F teknolojisini tanıtmıştı.

Japon çip üreticisi Rapidus, bu büyüyen AI çip talebinden pay almayı hedefliyor. Firma, 2027 yılında 2 nanometre çiplerin seri üretimine başlamayı planlarken, ASML’den daha fazla EUV makinesi temin etmeyi de amaçlıyor.

Ayrıca, ASML’nin Japonya’da yeni bir hizmet merkezi açacağı bildiriliyor. Bu arada Rapidus’un arkasında Japonya’nın ve Toyota ve Sony'nin de aralarında bulunduğu sekiz Japon firmasının olduğunu belirtelim.

Diğer yandan TSMC, 2 nanometre çiplerin seri üretimine bu yılın sonunda başlamayı ve 2026’da ilk ürünleri piyasaya sunmayı planlıyor. 2 nanometre çipler, bir önceki nesil olan 3 nanometrelik çiplere kıyasla daha küçük bileşen boyutlarına ve mevcut FinFET’ten farklı gelişmiş bir transistör tasarımına sahip olacak. TSMC'nin bu çiplerde kullandığı "nanosheet" transistör tasarımı, güç verimliliğini artırarak performansı iyileştirmeyi hedefliyor.

Samsung ise benzer şekilde 2 nanometre çipleri için "gate-all-around-FinFET" (GAAFET) transistör tasarımını tercih ediyor.

Samsung, bu teknolojiyi IBM ile birlikte geliştirirken, seri üretim için gerekli makinelerini 2024'ün son çeyreğinde kurmayı tamamladı. Benzer şekilde Güney Koreli devin de bu yıl sonunda seri üretime geçmesi bekleniyor.