Haber Merkezi Giriş Tarihi: 2025-12-13 02:18 Güncelleme Tarihi: 2025-12-13 03:52

ABD'yi sarsacak gelişme! Çinli çip üreticisi başardı

Çinli çip üreticisi SMIC, ASML’nin EUV makinelerine erişimi olmadan 5 nm sınıfı N+3 üretim sürecinde seri üretime geçti. Huawei’nin Kirin 9030 yongasında doğrulanan süreç, Çin’in yarı iletken bağımsızlığı hedefinde dönüm noktası niteliğinde; ancak agresif çoklu desenleme tekniklerinin yol açtığı ciddi verim ve maliyet sorunları dikkat çekiyor. Çin’in en büyük dökümhanelerinden SMIC, bugüne kadarki en ileri üretim teknolojilerinden biri olan 5 nm sınıfı N+3 sürecinde seri üretime geçtiğini doğruladı.

Bu adımın sembolik değeri yüksek: ABD ve müttefiklerinin ihracat kısıtlamalarına rağmen, Çin’in, EUV litografi ekipmanına erişmeden rekabetçi sayılabilecek bir üretim geometrisine inebildiği gösterilmiş oldu. N+3, SMIC’in daha önce Huawei’nin Ascend serisi hızlandırıcılarında kullandığı 7 nm sınıfı N+2 sürecinden tam bir nesil daha ileri kabul ediliyor. Süreç, bağımsız tersine mühendislik çalışmalarıyla ortaya çıktı. TechInsights’ın Huawei Kirin 9030 üzerinde yaptığı detaylı incelemelerde, yonganın SMIC’in yeni N+3 süreciyle üretildiği teyit edildi. Bu tespit, kağıt üzerindeki bir “yol haritası vaadi”nin ötesine geçildiğini ve teknolojinin artık nihai ürün seviyesinde sahaya indiğini gösteriyor. Kirin 9030’un, Huawei ekosisteminde üst seviye cihazları hedefleyen bir yonga olması da N+3’ün ticari önemini artırıyor.

Normal şartlarda 5 nm sınıfı bir süreç için, 13,5 nm dalga boyunda çalışan EUV (Extreme Ultraviolet) litografi ekipmanları endüstri standardı haline gelmiş durumda. SMIC ise, ABD ve müttefiklerinin getirdiği kısıtlamalar nedeniyle: Sadece 193 nm dalga boyuna sahip DUV (Deep Ultraviolet) tarayıcıları kullanabiliyor, Buna rağmen, agresif çoklu desenleme (multi-patterning) teknikleriyle 5 nm seviyesine yaklaşan bir yoğunluğu yakalamaya çalışıyor. DUV cihazları tek pozlamada kabaca 38 nm civarına inebilirken, SMIC’in bu sınırı yaklaşık 35 nm civarına kadar optimize ettiği, kalan kısmı ise ardışık pozlamalarla “bölerek” çözdüğü değerlendiriliyor.

N+3 sürecinde, endüstride uzun süredir bilinen ancak bu kadar agresif kullanılmayan çoklu desenleme tekniklerinden yoğun şekilde faydalanıldığı tahmin ediliyor. Bunların başında: SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) Farklı varyasyonlarla çoklu maskeleme ve birden fazla baskı turu gibi yöntemler geliyor. Bu yaklaşım, teoride daha ince metal hatlar ve daha sıkı yerleşimler sağlamayı mümkün kılıyor; ancak: Maske sayısını artırıyor, Üretim sürecini uzatıyor, Her ek adımda hata olasılığını büyüttüğü için verim (yield) tarafında ciddi sıkıntılar yaratıyor. TechInsights’ın değerlendirmesine göre Kirin 9030’un üretiminde: Hata oranları oldukça yüksek, SMIC’in ürettiği yongaların önemli bir bölümü kabul edilebilir kalite eşiğinin altında kalıyor. Bu tablo, iki kritik sonuca işaret ediyor: Maliyet baskısı Wafer başına maliyet, çoklu desenleme ve uzun işlem zinciri nedeniyle zaten yüksek. Düşük verimle birleşince, işe yarar her yonganın birim maliyeti ciddi şekilde artıyor.

Aynı makine parkı ve aynı süre içinde, hatalı üretim yüzünden daha az “satılabilir” çip çıkıyor. SMIC, “teknolojik seviye” olarak 5 nm sınıfına inse de, ekonomik verimlilik anlamında TSMC veya Samsung’un EUV tabanlı süreçleriyle rekabet etmekte zorlanıyor. Bu nedenle N+3, Çin’in “yapabiliyoruz” demesi açısından stratejik; fakat kısa vadede fiyat/performans anlamında rakiplerine karşı büyük bir avantaj sunmuyor. SMIC, litografi alanında dışa bağımlılığı azaltmak için yerli çözümleri de test ediyor. Eylül ayında, Shanghai Yuliangsheng Technology tarafından geliştirilen DUV tarayıcıların 28 nm sınıfı süreçler için denenmeye başlandığı açıklanmıştı. Ancak bu ekipmanların halen oldukça erken aşamada olduğu ve 5 nm sınıfı gibi çok daha agresif süreçlerde kullanılmasının gerçekçi olmadığı değerlendiriliyor.

Bu nedenle, Kirin 9030’da kullanılan N+3 sürecinin: Büyük olasılıkla hâlâ ASML menşeli gelişmiş DUV makineleri üzerinde çalıştığı, Yerli litografi çözümlerinin ise şimdilik daha “olgun olmayan”, daha geniş geometrili süreçlerle sınırlı kaldığı tahmin ediliyor. Tüm teknik zorluklara rağmen N+3’ün sahaya inmiş olması, Pekin açısından kritik önemde: ABD’nin teknoloji kısıtlamalarının orta–uzun vadede tam bir teknoloji ambargosuna dönüşmesini engellemek, En azından yerli pazar ve müttefik ülkeler için Çin kaynaklı çip tedarik zincirini canlı tutmak, Huawei gibi sancak şirketlerin, gelişmiş yonga tasarımını tamamen kaybetmesinin önüne geçmek, açısından N+3 süreci, “köprü teknoloji” rolü görüyor. Yüksek maliyet ve düşük verim, bu süreçten elde edilen çipleri küresel pazarda fiyat rekabetine sokmayı zorlaştırsa da, Çin için stratejik özerklik boyutu ekonomik rasyonelin önüne geçmiş durumda.

SMIC’in EUV olmadan 5 nm sınıfına inebilmesi, küresel yarı iletken dengeleri açısından şu mesajları veriyor: Teknoloji kısıtlamaları, ilerlemeyi yavaşlatıyor ama tamamen durduramıyor. Çin, daha maliyetli ve verimsiz de olsa “alternatif yol” üretebileceğini gösteriyor. ABD ve müttefikleri, ileride Çin’in yerli litografi ve malzeme ekosistemini olgunlaştırması halinde, çok daha bağımsız bir yarı iletken gücüyle karşı karşıya kalabilir. Diğer tarafta, N+3’ün verim problemleri; TSMC, Samsung ve Intel gibi oyuncuların: EUV avantajının halen çok güçlü olduğunu, Sadece düğüm küçültme değil, ekonomik verimlilik ve hacimsel üretim konularında da önde bulunduklarını yeniden teyit ediyor.

Bu gelişme, dolaylı olarak Türkiye gibi teknoloji ithalatçısı ve aynı zamanda bölgesel üretim üssü olma iddiasındaki ülkeler için de önemli sinyaller taşıyor: Yarı iletken alanında tam bağımsızlık çok uzun soluklu ve yüksek maliyetli bir hedef. Ancak tasarım, paketleme, test, güç elektroniği, savunma elektroniği gibi alt alanlarda niş uzmanlaşma hâlâ mümkün. Çin–Batı eksenli çip rekabetinde, tedarik güvenliği, alternatif kaynaklar ve stratejik işbirlikleri giderek daha fazla önem kazanacak. SMIC’in N+3 süreci, teknik açıdan pek çok handikap barındırsa da, jeopolitik ve stratejik açıdan, “Çin’in geri adım atmayacağı”nı gösteren güçlü bir işaret olarak kayıtlara geçmiş durumda.