Haber Merkezi Giriş Tarihi: 2024-10-11 22:26 Güncelleme Tarihi: 2024-10-11 23:18

DARPA yeni nesil transistörler için Raytheon'a görev verdi! Neden bu kadar önemliler?

DARPA, Raytheon'a sentetik elmas ve alüminyum nitrür gibi yeni nesil yarı iletken malzemeleri kullanarak radar, iletişim ve silah sistemleri için yenilikçi transistörler üretme görevi verdi.

Bu yeni malzemeler, özellikle yüksek güç ve frekans gerektiren elektronik sistemlerde kullanılacak.

Çin, dünya galyum arzının önemli bir bölümünü kontrol ediyor ve son dönemde ihracatını sınırlama kararı aldı. Galyum nitrit (GaN), yüksek güç ve frekans uygulamaları için kritik öneme sahip bir yarı iletken malzeme.

Çin'in bu kısıtlamaları, ABD'nin teknoloji üretimi ve ulusal güvenliği açısından büyük bir tehdit oluşturuyor. DARPA'nın Raytheon ile işbirliği, bu riski azaltmayı hedefliyor.

Sentetik elmas ve alüminyum nitrür, geleneksel galyum nitritten çok daha üstün özellikler sunuyor. Sentetik elmas, 5.5 eV geniş bant aralığı ile yüksek frekanslı performans ve ısı yönetimi açısından dikkat çekiyor. Alüminyum nitrür ise 6.2 eV bant aralığıyla bu alanda daha da ileri bir teknoloji vadediyor. Ancak bu malzemelerin seri üretimi henüz zorlayıcı bir süreç olarak görülüyor.

Raytheon'un projesi iki aşamada gerçekleştirilecek. İlk aşamada sentetik elmas ve alüminyum nitrür bazlı yarı iletken filmler üretilecek. İkinci aşamada ise bu malzemeler, sensör ve radar uygulamalarına yönelik geniş çaplı plakalar halinde entegre edilecek. Şirket, mevcut GaAs ve GaN teknolojilerinde sahip olduğu deneyimi bu yeni malzemelere adapte etmeyi amaçlıyor.

Raytheon İleri Teknoloji Başkanı Colin Whelan, bu projeyi yarı iletken alanında devrim niteliğinde bir gelişme olarak değerlendirerek, "Raytheon, yarı iletken teknolojisindeki deneyimini bu yeni nesil malzemeler üzerinde kullanarak gelecekteki uygulamalar için büyük adımlar atacak," dedi. Şirket, bu planların henüz başlangıç aşamasında olduğunu vurguladı.